近日，東莞市發(fā)改委正式發(fā)布《東莞市發(fā)展半導(dǎo)體及集成電路戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群行動(dòng)計(jì)劃（2022－2025年）》（以下簡(jiǎn)稱“計(jì)劃”）。

 

　　到2025年，東莞市集成電路產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入超800億元，力爭(zhēng)達(dá)到1000億元，并建成華南地區(qū)第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用創(chuàng)新重要基地，并在封裝測(cè)試、芯片設(shè)計(jì)和第三代半導(dǎo)體等細(xì)分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代等具體目標(biāo)。

 

　　近年來(lái)，東莞在集成電路研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試和第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域集聚了一批企業(yè)，形成了一定的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。

 

　　目前全市擁有涉及半導(dǎo)體及集成電路研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的企業(yè)257家，大多集中在封裝測(cè)試和研發(fā)設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，2021年實(shí)現(xiàn)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入約256億元，其中上市企業(yè)4家。

 

　　2025年，東莞的四大目標(biāo)

 

　　《計(jì)劃》中，東莞是提出了到2025的四大目標(biāo)。

 

　　1、到2025年，東莞市集成電路產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入超800億元，力爭(zhēng)達(dá)到1000億元，年均增速超過(guò)25%；

 

　　2、東莞市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將具有全國(guó)競(jìng)爭(zhēng)力，建成華南地區(qū)第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用創(chuàng)新重要基地，基本形成碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）襯底和外延材料、芯片/器件、應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈；

 

　　3、企業(yè)創(chuàng)新研發(fā)投入占銷售收入比重超過(guò)5%，自主研發(fā)和引進(jìn)消化吸收一批關(guān)鍵核心技術(shù)，在封裝測(cè)試、芯片設(shè)計(jì)和第三代半導(dǎo)體等細(xì)分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代；

 

　　組建一批高水準(zhǔn)的企業(yè)研發(fā)中心，第三代半導(dǎo)體和集成電路技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái)、產(chǎn)學(xué)研合作平臺(tái)等達(dá)到3個(gè)以上；

 

　　加快集聚創(chuàng)新人才，引進(jìn)和培養(yǎng)第三代半導(dǎo)體和集成電路領(lǐng)軍人才30人以上、領(lǐng)軍團(tuán)隊(duì)10個(gè)以上；

 

　　4、基本建成配套設(shè)施齊全、服務(wù)功能完善、規(guī)模效應(yīng)明顯、上下游緊密配合的集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。集成電路專業(yè)公共服務(wù)平臺(tái)數(shù)量達(dá)到3個(gè)以上。

 

　　積極推動(dòng)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展

 

　　《計(jì)劃》中提出，將第三代半導(dǎo)體突破工程作為重點(diǎn)，積極推動(dòng)氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、圖形化藍(lán)寶石（PSS）等第三代半導(dǎo)體材料在襯底、外延、器件、制備設(shè)備等方面的研發(fā)、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化，加快第三代半導(dǎo)體芯片應(yīng)用推廣。

 

　　重點(diǎn)發(fā)展應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、智慧電源等領(lǐng)域的中高壓MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、IGBT（大功率絕緣柵雙極型晶體管）等SiC電子電力器件；應(yīng)用于5G通信的GaN高功率射頻器件、GaN功率放大器、GaN微波集成電路芯片等GaN微波射頻器件；應(yīng)用于新型顯示Mini/Micro－LED、激光器等領(lǐng)域的GaN光電器件。

 

　　推動(dòng)建設(shè)4－8英寸SiC和GaN襯底、外延及芯片/器件生產(chǎn)線，打通SiC/GaN材料－SiC/GaN芯片/器件－SiC/GaN應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈，加快實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。

 

　　材料及關(guān)鍵電子元器件補(bǔ)鏈工程方面，大力引進(jìn)技術(shù)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體IDM企業(yè)，支持建設(shè)射頻、傳感器、電力電子等器件生產(chǎn)線，形成配套材料和封裝能力。

 

　　特種裝備及零部件配套工程方面，大力引進(jìn)國(guó)內(nèi)外沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備、等離子清洗機(jī)、薄膜制備設(shè)備、第三代半導(dǎo)體設(shè)備等領(lǐng)域的龍頭企業(yè)。

 

　　對(duì)于重點(diǎn)發(fā)展的第三代半導(dǎo)體、集成電路制造和封裝測(cè)試等領(lǐng)域項(xiàng)目，積極爭(zhēng)取列入省重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目計(jì)劃，獲得省先進(jìn)制造業(yè)政策支持。