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合肥新站高新區(qū)搶先布局化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈

來源:未知 日期:2018-10-31 點(diǎn)擊:

  化合物半導(dǎo)體,正成為世界各國競爭的技術(shù)制高點(diǎn)!令人期待的是,合肥新站高新區(qū)搶先布局,開啟合肥藍(lán)光高端化合物半導(dǎo)體芯片重大新興產(chǎn)業(yè)專項。
 
  該項目達(dá)產(chǎn)后預(yù)計年產(chǎn)值約7億元,可填補(bǔ)安徽材料生長、芯片加工環(huán)節(jié)空白,建立完整產(chǎn)業(yè)鏈。2018年9月,項目獲得安徽省第三批重大新型產(chǎn)業(yè)專項建設(shè)支持。
 
  建立完整的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
 
  化合物半導(dǎo)體,特別是寬禁帶半導(dǎo)體,是支持國防軍備、5G移動通信、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級的重點(diǎn)核心材料和電子元器件,正在成為世界各國競爭的技術(shù)制高點(diǎn)。
 
  2017年我國寬禁帶射頻器件規(guī)模約12.08億元,預(yù)測至2022年,將達(dá)到200億元。需要注意的是,目前,我國化合物射頻芯片的95%依靠進(jìn)口。
 
  安徽省及合肥市化合物半導(dǎo)體方向,在器件設(shè)計、封測、應(yīng)用方面已經(jīng)聚集了較多的單位,比如,芯谷微電子、科大先研院、38所、四創(chuàng)電子等,但是,在產(chǎn)業(yè)鏈中缺失了材料生長、芯片加工環(huán)節(jié)。
 
  令人興奮的是,合肥新站高新區(qū)布局于此,合肥藍(lán)光高端化合物半導(dǎo)體芯片重大新興產(chǎn)業(yè)專項應(yīng)運(yùn)而生,該項目的開展可填補(bǔ)空白,在安徽省建立完整的化合物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)鏈,以期突破化合物半導(dǎo)體國外壟斷,實(shí)現(xiàn)“自主可控”。
 
  達(dá)產(chǎn)后預(yù)計年產(chǎn)值達(dá)到7億元
 
  更加值得期待的是,2018年9月合肥藍(lán)光高端化合物半導(dǎo)體芯片重大新興產(chǎn)業(yè)專項獲得安徽省第三批重大新型產(chǎn)業(yè)專項建設(shè)支持。
 
  “項目包含三個子項目:一是基于寬禁帶GaN的功率和射頻材料項目;二是基于寬禁帶SiC的功率材料項目;三是基于化合物功率和射頻芯片制造項目。”
 
  合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司技術(shù)中心主任唐軍介紹,項目計劃投資6.8億元,正在進(jìn)行工藝技術(shù)研發(fā),并已經(jīng)取得階段成果;中試線建設(shè)正在進(jìn)行產(chǎn)線設(shè)計、設(shè)備調(diào)研、廠房建設(shè)規(guī)劃階段。
 
  根據(jù)規(guī)劃,該項目達(dá)產(chǎn)后,實(shí)現(xiàn)材料生長、芯片加工、封裝“一條龍”,預(yù)計年產(chǎn)值達(dá)到7億元,利稅2.1億元。
 
  協(xié)同創(chuàng)新中心提供強(qiáng)大智力支撐
 
  2016年9月,新站、藍(lán)光、北大攜手建立協(xié)同創(chuàng)新中心,縱深推進(jìn)政產(chǎn)學(xué)研深度融合。
 
  “合肥藍(lán)光高端化合物半導(dǎo)體芯片項目的推進(jìn),離不開強(qiáng)大的研發(fā)團(tuán)隊,協(xié)同創(chuàng)新中心相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)人才,給我們提供了強(qiáng)有力的智力支撐,早在兩年前,已經(jīng)開啟了前期研究。”


 

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合肥新站高新區(qū)搶先布局化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈

2018-10-31 來源:未知 點(diǎn)擊:

  化合物半導(dǎo)體,正成為世界各國競爭的技術(shù)制高點(diǎn)!令人期待的是,合肥新站高新區(qū)搶先布局,開啟合肥藍(lán)光高端化合物半導(dǎo)體芯片重大新興產(chǎn)業(yè)專項。
 
  該項目達(dá)產(chǎn)后預(yù)計年產(chǎn)值約7億元,可填補(bǔ)安徽材料生長、芯片加工環(huán)節(jié)空白,建立完整產(chǎn)業(yè)鏈。2018年9月,項目獲得安徽省第三批重大新型產(chǎn)業(yè)專項建設(shè)支持。
 
  建立完整的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
 
  化合物半導(dǎo)體,特別是寬禁帶半導(dǎo)體,是支持國防軍備、5G移動通信、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級的重點(diǎn)核心材料和電子元器件,正在成為世界各國競爭的技術(shù)制高點(diǎn)。
 
  2017年我國寬禁帶射頻器件規(guī)模約12.08億元,預(yù)測至2022年,將達(dá)到200億元。需要注意的是,目前,我國化合物射頻芯片的95%依靠進(jìn)口。
 
  安徽省及合肥市化合物半導(dǎo)體方向,在器件設(shè)計、封測、應(yīng)用方面已經(jīng)聚集了較多的單位,比如,芯谷微電子、科大先研院、38所、四創(chuàng)電子等,但是,在產(chǎn)業(yè)鏈中缺失了材料生長、芯片加工環(huán)節(jié)。
 
  令人興奮的是,合肥新站高新區(qū)布局于此,合肥藍(lán)光高端化合物半導(dǎo)體芯片重大新興產(chǎn)業(yè)專項應(yīng)運(yùn)而生,該項目的開展可填補(bǔ)空白,在安徽省建立完整的化合物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)鏈,以期突破化合物半導(dǎo)體國外壟斷,實(shí)現(xiàn)“自主可控”。
 
  達(dá)產(chǎn)后預(yù)計年產(chǎn)值達(dá)到7億元
 
  更加值得期待的是,2018年9月合肥藍(lán)光高端化合物半導(dǎo)體芯片重大新興產(chǎn)業(yè)專項獲得安徽省第三批重大新型產(chǎn)業(yè)專項建設(shè)支持。
 
  “項目包含三個子項目:一是基于寬禁帶GaN的功率和射頻材料項目;二是基于寬禁帶SiC的功率材料項目;三是基于化合物功率和射頻芯片制造項目。”
 
  合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司技術(shù)中心主任唐軍介紹,項目計劃投資6.8億元,正在進(jìn)行工藝技術(shù)研發(fā),并已經(jīng)取得階段成果;中試線建設(shè)正在進(jìn)行產(chǎn)線設(shè)計、設(shè)備調(diào)研、廠房建設(shè)規(guī)劃階段。
 
  根據(jù)規(guī)劃,該項目達(dá)產(chǎn)后,實(shí)現(xiàn)材料生長、芯片加工、封裝“一條龍”,預(yù)計年產(chǎn)值達(dá)到7億元,利稅2.1億元。
 
  協(xié)同創(chuàng)新中心提供強(qiáng)大智力支撐
 
  2016年9月,新站、藍(lán)光、北大攜手建立協(xié)同創(chuàng)新中心,縱深推進(jìn)政產(chǎn)學(xué)研深度融合。
 
  “合肥藍(lán)光高端化合物半導(dǎo)體芯片項目的推進(jìn),離不開強(qiáng)大的研發(fā)團(tuán)隊,協(xié)同創(chuàng)新中心相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)人才,給我們提供了強(qiáng)有力的智力支撐,早在兩年前,已經(jīng)開啟了前期研究。”