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產(chǎn)業(yè) | 湖南半導(dǎo)體技術(shù)攻關(guān)取得突破,研制裝備實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化!

來源:高新院 achie.org 日期:2023-07-28 點(diǎn)擊:

  從湖南省科技廳獲悉,2021年度湖南省十大技術(shù)攻關(guān)項(xiàng)目中的“第三代半導(dǎo)體核心裝備國產(chǎn)化關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)”“8英寸集成電路成套裝備”2個(gè)項(xiàng)目,均在7月25日順利通過綜合驗(yàn)收。
 
  “第三代半導(dǎo)體核心裝備國產(chǎn)化關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)”項(xiàng)目由中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所承擔(dān)。項(xiàng)目突破了6英寸SiC(碳化硅)外延生長、高溫高能離子注入機(jī)工藝性能、產(chǎn)能、穩(wěn)定性、可靠性提升等關(guān)鍵技術(shù),實(shí)現(xiàn)了6英寸SiC外延生長設(shè)備、SiC高溫高能離子注入機(jī)國產(chǎn)化與工程化,設(shè)備滿足規(guī)?;慨a(chǎn)工藝要求,并具備產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用能力。據(jù)悉,研制設(shè)備已成功在國內(nèi)第三代半導(dǎo)體頭部用戶上線應(yīng)用。
 
  “8英寸集成電路成套裝備”項(xiàng)目由中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所和湖南楚微半導(dǎo)體科技有限公司共同承擔(dān)。項(xiàng)目通過國產(chǎn)裝備、工藝和產(chǎn)品協(xié)同創(chuàng)新,突破了立式爐管、硅外延設(shè)備等關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān),完成了工藝驗(yàn)證,并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。項(xiàng)目已完成43臺(套)國產(chǎn)核心工藝裝備上線驗(yàn)證,整線工藝裝備國產(chǎn)化率達(dá)95%,目前生產(chǎn)線已達(dá)到2萬片/月生產(chǎn)能力,芯片良品率達(dá)98%。
 
  本文來自【華聲在線】,僅代表作者觀點(diǎn)。


 

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2023-07-28 來源:高新院 achie.org 點(diǎn)擊:

  從湖南省科技廳獲悉,2021年度湖南省十大技術(shù)攻關(guān)項(xiàng)目中的“第三代半導(dǎo)體核心裝備國產(chǎn)化關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)”“8英寸集成電路成套裝備”2個(gè)項(xiàng)目,均在7月25日順利通過綜合驗(yàn)收。
 
  “第三代半導(dǎo)體核心裝備國產(chǎn)化關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)”項(xiàng)目由中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所承擔(dān)。項(xiàng)目突破了6英寸SiC(碳化硅)外延生長、高溫高能離子注入機(jī)工藝性能、產(chǎn)能、穩(wěn)定性、可靠性提升等關(guān)鍵技術(shù),實(shí)現(xiàn)了6英寸SiC外延生長設(shè)備、SiC高溫高能離子注入機(jī)國產(chǎn)化與工程化,設(shè)備滿足規(guī)模化量產(chǎn)工藝要求,并具備產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用能力。據(jù)悉,研制設(shè)備已成功在國內(nèi)第三代半導(dǎo)體頭部用戶上線應(yīng)用。
 
  “8英寸集成電路成套裝備”項(xiàng)目由中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所和湖南楚微半導(dǎo)體科技有限公司共同承擔(dān)。項(xiàng)目通過國產(chǎn)裝備、工藝和產(chǎn)品協(xié)同創(chuàng)新,突破了立式爐管、硅外延設(shè)備等關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān),完成了工藝驗(yàn)證,并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。項(xiàng)目已完成43臺(套)國產(chǎn)核心工藝裝備上線驗(yàn)證,整線工藝裝備國產(chǎn)化率達(dá)95%,目前生產(chǎn)線已達(dá)到2萬片/月生產(chǎn)能力,芯片良品率達(dá)98%。
 
  本文來自【華聲在線】,僅代表作者觀點(diǎn)。