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光谷世界級產(chǎn)業(yè)規(guī)劃發(fā)布,武漢存儲工廠加速擴產(chǎn)

光谷世界級產(chǎn)業(yè)規(guī)劃發(fā)布,武漢存儲工廠加速擴產(chǎn)

來源:中國高新院 achie.org 日期:2020-08-03 點擊:

近日,武漢東湖高新區(qū)正式發(fā)布《光谷科技創(chuàng)新大走廊核心承載區(qū)總體發(fā)展規(guī)劃》并啟動建設,據(jù)規(guī)劃,光谷核心承載區(qū)將打造一條創(chuàng)新主軸、一個核心創(chuàng)新源、三大創(chuàng)新節(jié)點和三條千億產(chǎn)業(yè)大道。其中創(chuàng)新主軸為高新大道,核心創(chuàng)新源在光谷科學島,三大創(chuàng)新節(jié)點位于光谷生物城、光谷中心城和武漢未來科技城,三條千億產(chǎn)業(yè)大道分別是關山大道、光谷五路和左嶺大道。

 

光谷作為世界級的光電技術中心,本次的光谷的科創(chuàng)大走廊核心承載區(qū)總規(guī)劃面積16.8平方公里的光谷科學島,位于豹澥街道南部梁子湖湖畔,被視為整條大走廊的皇冠之珠。該島主要布局各類重大科技基礎設施,引進各類國際化高端科研平臺和研究型大學,同時加大新型基礎設施建設,以及新經(jīng)濟應用場景的構建。

 

據(jù)相關人員介紹,光谷核心承載區(qū)將按三步走來建設,終極目標是到2049年,光谷科技創(chuàng)新大走廊核心承載區(qū)成為具有全球影響力的科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)中心,全面建成“世界光谷”。光谷本次的重點布局在集成電路、存儲芯片、消費電子和智能終端等新興產(chǎn)業(yè)。

 

作為世界級的存儲中心城市,武漢存儲的實力逐漸加強,未來承擔著中國存儲崛起的重任,長江存儲和武漢新芯工廠的建成就是武漢實力的見證。

 

存儲器行業(yè)具有周期波動特性,從歷史表現(xiàn)上看,存儲器行業(yè)總是處于交替出現(xiàn)的漲跌循環(huán)之中,其產(chǎn)業(yè)周期強于電子元器件市場整體的周期性,暴漲暴跌的情況也是常見。由于行業(yè)壟斷,國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)的薄弱,國家發(fā)展存儲決心從未改變。2016年,武漢長江存儲、合肥長鑫、福建晉華等新廠的落成,加上紫光和兆易等傳統(tǒng)存儲顆粒原廠的發(fā)力,中國存儲格局逐漸顯現(xiàn)。

 

目前中國存儲的研發(fā)節(jié)奏正在逐步推進,中國存儲產(chǎn)業(yè)加速前進,武漢存儲產(chǎn)業(yè)隱現(xiàn)國家隊效應,是中國未來存儲發(fā)展的新希望。武漢東湖高新區(qū)未來三路與高新大道交匯處,被稱為黃金大道,這里的芯屏產(chǎn)業(yè)聚集,長江存儲就在這里誕生。據(jù)了解,長江存儲國家存儲器基地項目由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設,計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠,規(guī)劃總產(chǎn)能30萬片/月,總占地面積1968畝。

 

2016年年底,長江存儲一期工程開工,2019年9月,長江存儲發(fā)布64層3D NAND閃存,目前產(chǎn)品實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),并陸續(xù)推向市場。2020年4月,長江存儲再次發(fā)布128層3D NAND閃存,預計將于2020年年底至2021年年初實現(xiàn)量產(chǎn)。

 

作為存儲器領域國家隊代表的長江存儲,正在按照自己的研發(fā)節(jié)奏推進,在武漢光谷,長江存儲正打造屬于自己的存儲器產(chǎn)業(yè)鏈。

 

2006年成立的武漢新芯半導體是一家領先的半導體研發(fā)和制造企業(yè),與長江存儲是鄰居,致力于NOR Flash和晶圓級Xtacking TM技術的研發(fā)。在NOR Flash行業(yè)中,XMC積累了十多年的制造經(jīng)驗,是中國乃至全球領先的NOR Flash晶圓制造商之一。目前,Xtacking TM技術平臺已引入TSV,混合鍵合和多晶片堆疊技術,為客戶提供高度靈活和創(chuàng)新的晶片級3D IC技術解決方案。

 

在打造存儲工廠的過程中,武漢的存儲人都是摸著石頭過河。武漢新芯表示,“自己做存儲器產(chǎn)業(yè),我們沒有團隊。”武漢新芯在2006年正式開工建設,經(jīng)過了廠房建設、進設備、爬產(chǎn)能周期后,2008年產(chǎn)品才正式上市。

 

中國的企業(yè)在存儲領域既沒有技術優(yōu)勢,也沒有生產(chǎn)規(guī)模,每年進口的芯片金額高達2500億美元,在主流與DRAM和NAND Flash芯片的制造上基本是零。

 

《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》的公布給了行業(yè)機會,中國計劃徹底改善在半導體產(chǎn)業(yè)的被動局面,也取得了很多可喜的成績,如今,光谷科技創(chuàng)新大走廊核心承載區(qū)總體發(fā)展規(guī)劃的發(fā)布,再次給產(chǎn)業(yè)增強了信心。

 

目前,長江存儲、武漢新芯、小米總部、華為海思武漢光芯片工廠等眾多世界級的企業(yè)入駐,光谷迎來了巨大的機遇,產(chǎn)業(yè)集群正在形成。

 

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光谷世界級產(chǎn)業(yè)規(guī)劃發(fā)布,武漢存儲工廠加速擴產(chǎn)

2020-08-03 來源:中國高新院 achie.org 點擊:

近日,武漢東湖高新區(qū)正式發(fā)布《光谷科技創(chuàng)新大走廊核心承載區(qū)總體發(fā)展規(guī)劃》并啟動建設,據(jù)規(guī)劃,光谷核心承載區(qū)將打造一條創(chuàng)新主軸、一個核心創(chuàng)新源、三大創(chuàng)新節(jié)點和三條千億產(chǎn)業(yè)大道。其中創(chuàng)新主軸為高新大道,核心創(chuàng)新源在光谷科學島,三大創(chuàng)新節(jié)點位于光谷生物城、光谷中心城和武漢未來科技城,三條千億產(chǎn)業(yè)大道分別是關山大道、光谷五路和左嶺大道。

 

光谷作為世界級的光電技術中心,本次的光谷的科創(chuàng)大走廊核心承載區(qū)總規(guī)劃面積16.8平方公里的光谷科學島,位于豹澥街道南部梁子湖湖畔,被視為整條大走廊的皇冠之珠。該島主要布局各類重大科技基礎設施,引進各類國際化高端科研平臺和研究型大學,同時加大新型基礎設施建設,以及新經(jīng)濟應用場景的構建。

 

據(jù)相關人員介紹,光谷核心承載區(qū)將按三步走來建設,終極目標是到2049年,光谷科技創(chuàng)新大走廊核心承載區(qū)成為具有全球影響力的科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)中心,全面建成“世界光谷”。光谷本次的重點布局在集成電路、存儲芯片、消費電子和智能終端等新興產(chǎn)業(yè)。

 

作為世界級的存儲中心城市,武漢存儲的實力逐漸加強,未來承擔著中國存儲崛起的重任,長江存儲和武漢新芯工廠的建成就是武漢實力的見證。

 

存儲器行業(yè)具有周期波動特性,從歷史表現(xiàn)上看,存儲器行業(yè)總是處于交替出現(xiàn)的漲跌循環(huán)之中,其產(chǎn)業(yè)周期強于電子元器件市場整體的周期性,暴漲暴跌的情況也是常見。由于行業(yè)壟斷,國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)的薄弱,國家發(fā)展存儲決心從未改變。2016年,武漢長江存儲、合肥長鑫、福建晉華等新廠的落成,加上紫光和兆易等傳統(tǒng)存儲顆粒原廠的發(fā)力,中國存儲格局逐漸顯現(xiàn)。

 

目前中國存儲的研發(fā)節(jié)奏正在逐步推進,中國存儲產(chǎn)業(yè)加速前進,武漢存儲產(chǎn)業(yè)隱現(xiàn)國家隊效應,是中國未來存儲發(fā)展的新希望。武漢東湖高新區(qū)未來三路與高新大道交匯處,被稱為黃金大道,這里的芯屏產(chǎn)業(yè)聚集,長江存儲就在這里誕生。據(jù)了解,長江存儲國家存儲器基地項目由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設,計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠,規(guī)劃總產(chǎn)能30萬片/月,總占地面積1968畝。

 

2016年年底,長江存儲一期工程開工,2019年9月,長江存儲發(fā)布64層3D NAND閃存,目前產(chǎn)品實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),并陸續(xù)推向市場。2020年4月,長江存儲再次發(fā)布128層3D NAND閃存,預計將于2020年年底至2021年年初實現(xiàn)量產(chǎn)。

 

作為存儲器領域國家隊代表的長江存儲,正在按照自己的研發(fā)節(jié)奏推進,在武漢光谷,長江存儲正打造屬于自己的存儲器產(chǎn)業(yè)鏈。

 

2006年成立的武漢新芯半導體是一家領先的半導體研發(fā)和制造企業(yè),與長江存儲是鄰居,致力于NOR Flash和晶圓級Xtacking TM技術的研發(fā)。在NOR Flash行業(yè)中,XMC積累了十多年的制造經(jīng)驗,是中國乃至全球領先的NOR Flash晶圓制造商之一。目前,Xtacking TM技術平臺已引入TSV,混合鍵合和多晶片堆疊技術,為客戶提供高度靈活和創(chuàng)新的晶片級3D IC技術解決方案。

 

在打造存儲工廠的過程中,武漢的存儲人都是摸著石頭過河。武漢新芯表示,“自己做存儲器產(chǎn)業(yè),我們沒有團隊。”武漢新芯在2006年正式開工建設,經(jīng)過了廠房建設、進設備、爬產(chǎn)能周期后,2008年產(chǎn)品才正式上市。

 

中國的企業(yè)在存儲領域既沒有技術優(yōu)勢,也沒有生產(chǎn)規(guī)模,每年進口的芯片金額高達2500億美元,在主流與DRAM和NAND Flash芯片的制造上基本是零。

 

《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》的公布給了行業(yè)機會,中國計劃徹底改善在半導體產(chǎn)業(yè)的被動局面,也取得了很多可喜的成績,如今,光谷科技創(chuàng)新大走廊核心承載區(qū)總體發(fā)展規(guī)劃的發(fā)布,再次給產(chǎn)業(yè)增強了信心。

 

目前,長江存儲、武漢新芯、小米總部、華為海思武漢光芯片工廠等眾多世界級的企業(yè)入駐,光谷迎來了巨大的機遇,產(chǎn)業(yè)集群正在形成。