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工信部:推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料芯片及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)規(guī)劃發(fā)展

工信部:推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料芯片及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)規(guī)劃發(fā)展

來源:未知 日期:2019-10-08 點(diǎn)擊:

      10月8日,工信部回復(fù)政協(xié)《關(guān)于加快支持工業(yè)半導(dǎo)體芯片技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化自主發(fā)展的提案》稱,下一步,將持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展,根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì),調(diào)整完善政策實(shí)施細(xì)則,更好的支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

  根據(jù)回復(fù)函,工信部就政協(xié)提出的四方面建議作出回復(fù):

  一、制定工業(yè)半導(dǎo)體芯片發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃,出臺(tái)扶持技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策的建議

  回復(fù)函表示,為推動(dòng)我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展,工信部、發(fā)展改革委及相關(guān)部門,積極研究出臺(tái)政策扶持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

  下一步,工信部及相關(guān)部門將持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展,根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì),調(diào)整完善政策實(shí)施細(xì)則,更好的支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。通過行業(yè)協(xié)會(huì)等加大產(chǎn)業(yè)鏈合作力度,深入推進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同,促進(jìn)我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)迭代和應(yīng)用推廣。

  二、開放合作,推動(dòng)我國工業(yè)半導(dǎo)體芯片材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展的建議

  回復(fù)函稱,集成電路是高度國際化、市場(chǎng)化的產(chǎn)業(yè),資源整合、國際合作是快速提升產(chǎn)業(yè)發(fā)展能力的重要途徑。工信部與相關(guān)部門積極支持國內(nèi)企業(yè)、高校、研究院所與先進(jìn)發(fā)達(dá)國家加強(qiáng)交流合作。引進(jìn)國外先進(jìn)技術(shù)和研發(fā)團(tuán)隊(duì),推動(dòng)包括工業(yè)半導(dǎo)體芯片、器件等領(lǐng)域國際專家來華交流,支持海外高層次產(chǎn)業(yè)人才來華發(fā)展,提升我國在工業(yè)半導(dǎo)體芯片相關(guān)領(lǐng)域的研發(fā)能力和技術(shù)實(shí)力。

  下一步,工信部和相關(guān)部門將繼續(xù)加快推進(jìn)開放發(fā)展。引導(dǎo)國內(nèi)企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)等加強(qiáng)與先進(jìn)發(fā)達(dá)國家產(chǎn)學(xué)研機(jī)構(gòu)的戰(zhàn)略合作,進(jìn)一步鼓勵(lì)我國企業(yè)引進(jìn)國外專家團(tuán)隊(duì),促進(jìn)我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)研發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)能力的提升。

  三、步步為營分階段突破關(guān)鍵技術(shù)的建議

  回復(fù)函表示,為解決工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊等核心部件的關(guān)鍵性技術(shù)問題,工信部等相關(guān)部門積極支持工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。

  下一步,工信部將繼續(xù)支持我國工業(yè)半導(dǎo)體領(lǐng)域成熟技術(shù)發(fā)展,推動(dòng)我國芯片制造領(lǐng)域良率、產(chǎn)量的提升。積極部署新材料及新一代產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā),推動(dòng)我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

  四、高度重視人才隊(duì)伍的培養(yǎng),出臺(tái)政策和措施建立這一領(lǐng)域長期有效的人才培養(yǎng)計(jì)劃的建議

  回復(fù)函稱,當(dāng)前,人才問題特別是高端人才團(tuán)隊(duì)短缺成為制約我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵因素,為此工信部及相關(guān)部門積極推動(dòng)我國相關(guān)產(chǎn)業(yè)人才的培養(yǎng)。

  下一步,工信部與教育部等部門將進(jìn)一步加強(qiáng)人才隊(duì)伍建設(shè)。推進(jìn)設(shè)立集成電路一級(jí)學(xué)科,進(jìn)一步做實(shí)做強(qiáng)示范性微電子學(xué)院,加快建設(shè)集成電路產(chǎn)教融合協(xié)同育人平臺(tái),保障我國在工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。

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工信部:推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料芯片及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)規(guī)劃發(fā)展

2019-10-08 來源:未知 點(diǎn)擊:

      10月8日,工信部回復(fù)政協(xié)《關(guān)于加快支持工業(yè)半導(dǎo)體芯片技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化自主發(fā)展的提案》稱,下一步,將持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展,根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì),調(diào)整完善政策實(shí)施細(xì)則,更好的支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

  根據(jù)回復(fù)函,工信部就政協(xié)提出的四方面建議作出回復(fù):

  一、制定工業(yè)半導(dǎo)體芯片發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃,出臺(tái)扶持技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策的建議

  回復(fù)函表示,為推動(dòng)我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展,工信部、發(fā)展改革委及相關(guān)部門,積極研究出臺(tái)政策扶持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

  下一步,工信部及相關(guān)部門將持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展,根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì),調(diào)整完善政策實(shí)施細(xì)則,更好的支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。通過行業(yè)協(xié)會(huì)等加大產(chǎn)業(yè)鏈合作力度,深入推進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同,促進(jìn)我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)迭代和應(yīng)用推廣。

  二、開放合作,推動(dòng)我國工業(yè)半導(dǎo)體芯片材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展的建議

  回復(fù)函稱,集成電路是高度國際化、市場(chǎng)化的產(chǎn)業(yè),資源整合、國際合作是快速提升產(chǎn)業(yè)發(fā)展能力的重要途徑。工信部與相關(guān)部門積極支持國內(nèi)企業(yè)、高校、研究院所與先進(jìn)發(fā)達(dá)國家加強(qiáng)交流合作。引進(jìn)國外先進(jìn)技術(shù)和研發(fā)團(tuán)隊(duì),推動(dòng)包括工業(yè)半導(dǎo)體芯片、器件等領(lǐng)域國際專家來華交流,支持海外高層次產(chǎn)業(yè)人才來華發(fā)展,提升我國在工業(yè)半導(dǎo)體芯片相關(guān)領(lǐng)域的研發(fā)能力和技術(shù)實(shí)力。

  下一步,工信部和相關(guān)部門將繼續(xù)加快推進(jìn)開放發(fā)展。引導(dǎo)國內(nèi)企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)等加強(qiáng)與先進(jìn)發(fā)達(dá)國家產(chǎn)學(xué)研機(jī)構(gòu)的戰(zhàn)略合作,進(jìn)一步鼓勵(lì)我國企業(yè)引進(jìn)國外專家團(tuán)隊(duì),促進(jìn)我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)研發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)能力的提升。

  三、步步為營分階段突破關(guān)鍵技術(shù)的建議

  回復(fù)函表示,為解決工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊等核心部件的關(guān)鍵性技術(shù)問題,工信部等相關(guān)部門積極支持工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。

  下一步,工信部將繼續(xù)支持我國工業(yè)半導(dǎo)體領(lǐng)域成熟技術(shù)發(fā)展,推動(dòng)我國芯片制造領(lǐng)域良率、產(chǎn)量的提升。積極部署新材料及新一代產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā),推動(dòng)我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

  四、高度重視人才隊(duì)伍的培養(yǎng),出臺(tái)政策和措施建立這一領(lǐng)域長期有效的人才培養(yǎng)計(jì)劃的建議

  回復(fù)函稱,當(dāng)前,人才問題特別是高端人才團(tuán)隊(duì)短缺成為制約我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵因素,為此工信部及相關(guān)部門積極推動(dòng)我國相關(guān)產(chǎn)業(yè)人才的培養(yǎng)。

  下一步,工信部與教育部等部門將進(jìn)一步加強(qiáng)人才隊(duì)伍建設(shè)。推進(jìn)設(shè)立集成電路一級(jí)學(xué)科,進(jìn)一步做實(shí)做強(qiáng)示范性微電子學(xué)院,加快建設(shè)集成電路產(chǎn)教融合協(xié)同育人平臺(tái),保障我國在工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。